ESPECIFICACIONES:
Voltaje colector emisor en corte Vceo = 30V
Voltaje colector emisor en saturación Vces = 30V
Voltaje emisor base en corte Vebo = 5V
Corriente de colector constante Ic = 100mA
Disipación máxima (Tamb= 25 °C) = 625 mW
Temperatura de juntura = -55a+155 °C
V(BR)CEO Voltaje de ruptura colector-emisor IC = 10 mA, IB = 0, = 30 V (Min)
V(BR)CBO Voltaje de ruptura colector-base IC = 10 µA, IE = 0, = 30 V (Min)
V(BR)EBO Voltaje de ruptura emisor-base IE = 10 µA, IC = 0, 5.0 V (Min)
hfe típico = 400 (100 Min, 800 Max)
fT frecuencia de transición = 150 MHz
Transistor Bjt Npn Bc548
$0,15Precio
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